焊料空隙对隧道再生半导体激光器温度分布的影响
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型.模拟计算得到了2个有源区隧道再生半导体激光器三维稳态温度分布,分析了焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响.结果表明.当芯片与焊料为理想全接触时,靠近衬底的有源区的热量积累略高于靠近热沉的有源区的热量;随着空隙的增大,焊料空隙上方靠近热沉的有源区的局部温升较快,容易引起正反馈的电热烧毁,与实验结果吻合.
半导体激光器、温度分布、隧道再生、焊料空隙
34
TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家重点基础研究发展计划项目资助2006CB604902;国家自然科学基金项目资助60506012
2015-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1038-1042
