Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性
通过I-V测量研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系.在室温下肖特基势垒高度为0.75 eV,理想因子为2.06.温度升高,肖特基势垒高度增加,理想因子下降,主要原因是受异质结和二维电子气的影响.在正向电流为1 mA时,室温下的正向电压为1.65V, 从室温到300℃范围内正向电压的温度系数为-1.6mV/℃.
肖特基接触、AlGaN/GaN、HEMT、温度特性
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TN311.7(半导体技术)
2015-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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