10.3969/j.issn.0254-0037.2007.10.009
1.8 V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源
通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5～1.8 V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25 V,温度系数低于1.8×10-5/℃,且低频下PSRR的值可以达到-110 dB.
CMOS、带隙基准电压源、工作温度范围、电源抑制比、温度系数
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TN432.1(微电子学、集成电路（IC）)
北京市教委科研项目0030400;4040111
2007-12-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
1052-1055
