10.3969/j.issn.0254-0037.2007.10.008
掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善
为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷,引入了掩埋金属自对准工艺.新工艺使SiGe HBT的制作不受最小光刻条宽的限制,从而有效利用了现有的光刻精度.由此工艺得到的器件测量结果证明,在不提高现有光刻设备精度的基础上,掩埋金属自对准工艺对器件的性能有了改进.
掩埋金属、自对准、结面积利用率、金属-半导体接触
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TN323(半导体技术)
国家自然科学基金60476034
2007-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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