10.3969/j.issn.0254-0037.2007.07.002
ZnO紫外光电导型探测器的制备与研究
通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积AI/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XPS分析结果对测试结果进行了理论分析.结果表明,即使在未进行合金工艺的情况下,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO也可以形成良好的欧姆接触,正向偏压下,探测器的暗电流与光电流随外加偏压线性增加;探测器对紫外光谱具有明显的响应,其响应截止波长为368 nm.XPS分析表明,在ZnO薄膜表面存在着一定的O空位和Zn间隙,非化学计量的O与Zn之比对器件的响应时间有影响.
氧化锌、单晶薄膜、紫外光探测器
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TN304.2(半导体技术)
北京市优秀人才培养专项资费资助计划67002013200302
2007-08-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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