10.3969/j.issn.0254-0037.2006.06.007
SiGe HBT双端口网络参数模型和模拟
针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型.着重分析了Si/SiGe异质结和基区结构对器件交流性能的作用,并尽量避免省略物理量和对频率上限的限制.与等效电路模型相比,模型的频域精度由半定量提高至优于5%,并将适用频率由特定范围扩展至只计入本征参数时的特征频率fT,涵盖全部SiGe HBT的小信号工作频段,为器件的设计、优化和应用提供了一种宽频带和高精度的定量模拟方法.
锗硅、异质结、双端口网络
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TN323+.2(半导体技术)
国家自然科学基金60476034;北京市自然科学基金4032005
2006-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
506-509,513
