10.3969/j.issn.0254-0037.2005.05.001
用Cr/Au/Ni/Au制备n-GaN欧姆接触
为了获得n-GaN的低接触电阻的欧姆接触,采用Cr/Au/Ni/Au金属化系统与n-GaN形成欧姆接触,并对其不同温度下的接触电阻率进行了测试分析. 室温下Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率为0.32mΩ·cm2,随着温度的升高,接触电阻率略有增加,在300℃时接触电阻率为0.65mΩ·cm2,因此此欧姆接触适合在高温下使用.
n-GaN材料、欧姆接触、接触电阻率
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TN304.23(半导体技术)
2006-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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