10.3969/j.issn.0254-0037.2000.z1.022
Yb:ZW单晶生长缺陷和光谱性能
采用丘克拉斯基法生长了3块名义掺杂浓度分别为0.05%、0.5%、1%的ZnWO4:Yb3+晶体,根据X射线粉末衍射数据计算了晶胞参数,由密度实验确定了Yb3+是以置换Zn2+离子的方式进入晶格.观察了组分过冷和位错蚀坑,研究了不同掺杂浓度晶体的(010)晶面上的位错类型、连接方式,计算了位错密度.发现随着掺杂浓度的增加,位错密度也增大,必须控制合理的生长工艺条件以减少位错密度,提高晶体质量.对晶体的吸收光谱进行了测试,并对晶体的激光性能进行了讨论.
ZnWO4:Yb3+单晶、晶胞参数、位错、吸收光谱
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TN244(光电子技术、激光技术)
2006-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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88-92
